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Products傳感器電路設計之抗干擾技術(shù)研究
更新時間：2012-06-25 點擊次數(shù)：5218次
工控摘要：傳感器電路通常用來測量微弱的信號，具有很高的靈敏度，但也很容易接收到外界或內(nèi)部一些無規(guī)則的噪聲或干擾信號，如果這些噪聲和干擾的大小可以與有用信號相比較，那么在傳感器電路的輸出端有用信號將有可能被淹沒，或由于有用信號分量和噪聲干擾分量難以分辨，則必將妨礙對有用信號的測量。所以在傳感器電路的設計中，往往抗干擾設計是傳感器電路設計是否成功的關鍵。
高頻熱噪聲是由于導電體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動產(chǎn)生的。溫度越高，電子運動就越激烈。導體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動會在其內(nèi)部形成很多微小的電流波動，因其是無序運動，故它的平均總電流為零，但當它作為一個元件（或作為電路的一部分）被接入放大電路后，其內(nèi)部的電流就會被放大成為噪聲源，特別是對工作在高頻頻段內(nèi)的電路高頻熱噪聲影響尤甚。
低頻噪聲主要是由于內(nèi)部的導電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻，其碳質(zhì)材料內(nèi)部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續(xù)的，在電流流過時，會使電阻的導電率發(fā)生變化引起電流的變化，產(chǎn)生類似接觸不良的閃爆電弧。另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關。
由于半導體PN結(jié)兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應。當外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運動，相當于對電容充電。當正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠離耗盡區(qū)，相當于電容放電。當外加反向電壓時，耗盡區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時，這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電流產(chǎn)生微小波動，從而產(chǎn)生電流噪聲。其產(chǎn)生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。電路板上的電磁元件的干擾。
電阻的干擾來自于電阻中的電感、電容效應和電阻本身的熱噪聲。例如一個阻值為R的實芯電阻，可等效為電阻R、寄生電容C、寄生電感L的串并聯(lián)。一般來說，寄生電容為0．1～0．5pF，寄生電感為5～8nH。在頻率高于1MHz時，這些寄生電感電容就不可忽視了。
高頻熱噪聲是由于導電體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動產(chǎn)生的。溫度越高，電子運動就越激烈。導體內(nèi)部電子的無規(guī)則運動會在其內(nèi)部形成很多微小的電流波動，因其是無序運動，故它的平均總電流為零，但當它作為一個元件（或作為電路的一部分）被接入放大電路后，其內(nèi)部的電流就會被放大成為噪聲源，特別是對工作在高頻頻段內(nèi)的電路高頻熱噪聲影響尤甚。
低頻噪聲主要是由于內(nèi)部的導電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻，其碳質(zhì)材料內(nèi)部存在許多微小顆粒，顆粒之間是不連續(xù)的，在電流流過時，會使電阻的導電率發(fā)生變化引起電流的變化，產(chǎn)生類似接觸不良的閃爆電弧。另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關。
由于半導體PN結(jié)兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應。當外加正向電壓升高時，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運動，相當于對電容充電。當正向電壓減小時，它又使電子和空穴遠離耗盡區(qū)，相當于電容放電。當外加反向電壓時，耗盡區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時，這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電流產(chǎn)生微小波動，從而產(chǎn)生電流噪聲。其產(chǎn)生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。電路板上的電磁元件的干擾。
電阻的干擾來自于電阻中的電感、電容效應和電阻本身的熱噪聲。例如一個阻值為R的實芯電阻，可等效為電阻R、寄生電容C、寄生電感L的串并聯(lián)。一般來說，寄生電容為0．1～0．5pF，寄生電感為5～8nH。在頻率高于1MHz時，這些寄生電感電容就不可忽視了。
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